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瞬態(tài)平面熱源法測試導熱硅脂的導熱系數(shù)

更新時間:2026/4/28 16:03:49
首頁測試案例瞬態(tài)平面熱源法測試導熱硅脂的導熱系數(shù)

   導熱硅脂是以有機硅酮為基體、添加高導熱無機填料(如氧化鋁、氧化鋅、氮化硼等)制成的膏狀熱界面材料,具有絕緣性好、高低溫穩(wěn)定、界面潤濕性優(yōu)良等特點,廣泛用于CPU、GPU、功率器件、LED模組與散熱器之間的界面填充,可排除空氣、降低接觸熱阻、提升整機散熱效率。

   導熱系數(shù)是表征導熱硅脂傳熱能力的核心指標,其數(shù)值直接決定界面?zhèn)鳠嵝逝c器件工作溫度。傳統(tǒng)穩(wěn)態(tài)熱流法測試周期長、對樣品厚度與裝夾壓力敏感,膏狀樣品易出現(xiàn)厚度不均、接觸不良等問題;而瞬態(tài)平面熱源法測試速度快、樣品制備簡單、對膏體與軟質(zhì)材料適配性強,能有效減小接觸熱阻與對流干擾,是導熱硅脂導熱系數(shù)測定的優(yōu)選方法。


  一、實驗的操作步驟

   1、瞬態(tài)平面熱源法的工作原理

   瞬態(tài)平面熱源法以雙螺旋結(jié)構(gòu)平面探頭同時作為熱源與溫度傳感器,探頭被均勻夾置于兩份相同樣品之間;施加恒定短時加熱功率后,記錄探頭溫度-時間響應(yīng)曲線,基于非穩(wěn)態(tài)熱傳導模型求解得到材料導熱系數(shù)、熱擴散系數(shù)等熱物性參數(shù)。該方法無需達到熱穩(wěn)態(tài),測試時間短、溫升小,可很大程度抑制膏體對流與界面滑移,適合導熱硅脂等軟質(zhì)/膏狀材料測試。


   2.測量儀器

   DZDR-AS導熱系數(shù)測試儀、恒溫油浴和膏體夾具

推廣宣傳圖 拷貝.jpg


   3.測量樣品

   通用型電子散熱導熱硅脂(基體:甲基硅油;填料:Al?O?/ZnO復(fù)合體系)

   4.實驗步驟

   在實驗之前,先將儀器進行校準。將導熱硅脂均勻涂抹于潔凈載片表面,控制厚度,保證無氣泡、無劃痕、邊緣整齊;將平面探頭置于兩片樣品中間,輕壓夾具使樣品與探頭緊密貼合,避免間隙與滑移,然后重復(fù)測量,剔除異常值后取平均值,記錄溫升曲線與計算結(jié)果。

   5.測試圖譜和數(shù)據(jù)分析

   不同溫度下導熱硅脂導熱系數(shù)測試結(jié)果,3次平行實驗重復(fù)性良好。

圖片1-2.png

圖片1-3.png


   導熱硅脂導熱系數(shù)隨溫度升高呈緩慢線性下降,溫度升高導致有機硅基體分子鏈運動加劇、分子間距增大,基體導熱貢獻略有下降;同時填料-基體界面熱阻小幅上升,共同使整體導熱系數(shù)降低。在25~125℃常用工作區(qū)間,導熱系數(shù)降幅約10.3%,仍保持較高導熱水平,滿足中高溫電子器件散熱需求。





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